Nexwafe: Sechs Millionen Euro für Kommerzialisierung von EpiWafer-Technologie

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Mit der EpiWafer-Technologie will das Unternehmen Nexwafe die Kosten für die Produktion von hocheffizienten Siliziumwafern deutlich senken. Dies sei durch einen disruptiven Prozess möglich, in dem eine kristalline Siliziumschicht epitaktisch auf einem Saatwafer wächst. Ein epitaktisches Kristallwachstum bedeutet, dass die Kristalle einer Schicht in der gleichen Richtung ausgerichtet werden. Im EpiWafer-Prozess entsteht Nexwafe zufolge ein freistehender Wafer mit definierter Schichtdicke, so dass der Prozess das konventionelle Herstellen und Sägen der Blöcke in der Waferfertigung direkt ersetzen könne. Daher sei es möglich, monokristalline Wafer mit geringstem Energie- und Materialeinsatz herzustellen, sagt Stefan Reber, Mitgründer und CEO von Nexwafe.

Sechs Millionen Euro von Schweizer Investor

Nexwafe, eine Ausgründung des Fraunhofer Instituts für solare Energiesystem ISE, bekommt nun finanzielle Unterstützung  in Höhe von sechs Millionen Euro vom Schweizer Beteiligungsunternehmen Lynwood. Die Nexwafe-Technologie werde helfen, die Gesamtkosten von hocheffizienten Silizium-Solarmodulen signifikant zu reduzieren, meint Marina Groenberg, CEO von Lynwood. Der nächste Schritt im Kommerzialisierungsprozess ist nun laut Stefan Reber, „Epiwafer für Hocheffizienz-Solarzellen in unserem Technikum zu produzieren und sie bei ausgewählten Partnern aus der Solarzellen- und Modulherstellung für die Massenproduktion zu qualifizieren."

20 Prozent Wirkungsgrad bereits erreicht

Im vergangenen September meldete Nexwafe einen Wirkungsgrad von 20 Prozent für Solarzellen, die aus den EpiWafern von Nexwave hergestellt wurden. Damit könnten die neuartigen Wafer in Zukunft zu einem direkten Ersatz für monokristalline n- oder p-Typ Siliziumwafer werden. 15 Jahre lang haben die Freiburger Wissenschaftler nach eigenen Angaben an der EpiWafer-Technologie geforscht. Im Zentrum des Verfahrens stehe die chemische Gasphasenabscheidung bei Atmosphärendruck bei Temperaturen bis zu 1300 Grad Celsius. Das Verfahren sei aus der Mikroelektronik bereits gut bekannt, habe aber für die Photovoltaik an die notwendigen hohen Durchsätze radikal angepasst werden müssen, so das Fraunhofer ISE. (Mirco Sieg, Sandra Enkhardt)

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