Schmid: Pert statt Perc

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Der Maschinenbauer Schmid hatschon vor zwei Jahren eine Methode für die Beschichtung von Zellen mit Aluminiumoxid vorgestellt. Eingeführt als Prozess zur Herstellung von Hocheffizienz-Perc Zellen,favorisiert das Unternehmen nun die Herstellung von so genannten Pert-Zellen, wenn es sich um multikristalline Wafer handelt.

Die Perc Zellen werden auf so genannten p-Typ-Wafern hergestellt. Bei monokristallinen p-Typ-Wafern ist gut bekannt, dass sie innerhalb der ersten 1.000 Stunden Einstrahlung unter Umständen einige Prozent degradieren. Schmid zitiert jetzt eine Veröffentlichung von der EUPVSEC 2012, nach der die Degradation bei den multikristallinen Wafern, wenn mit Aluminiumoxid auf der Rückseite beschichtet, überraschenderweise höher ist und sogar 5,5 Prozent betragen kann. Die Beschichtung mit Aluminiumoxid ist allerdings nur eine von mehreren Methoden, um so genannte Perc-Hocheffizienzzellen herzustellen. Die meisten Hersteller nutzen Perc auf monokristallinen Wafern, einige stellen diese Hocheffizienzzellen jedoch auch auf multikristallinen Wafern her.

Pert ist ein ähnliches Konzept zur Herstellung von Hocheffizienzzellen wie Perc, nur dass die Pert-Zellen mit n-Typ-Wafern hergestellt werden.Erst im Januar hat das imec gemeldet, mit Pert eine Zelle mit 22,5 Prozent Wirkungsgrad hergestellt zu haben. Auch das belgische Forschungsinstitut siehtVorteile bei Pert im Vergleich zu Perc. Mit n-Typ –Wafern sind prinzipiell höhere Wirkungsgrade möglich als mit p-Typ-Wafern. Einige Hersteller bieten bereits n-Typ-Zellen an wie zum Beispiel Yingli und LG.

Schmid meldet, dass seine APCVD-Beschichtungs-Maschine bereits zur Herstellung von Pert-Zellen verkauft worden seien und dass sie sich sowohl für mono- als auch für multikristalline Wafer eignen. APCVD steht dabei für Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition. Alternativ dazu kann auch die Atomic Layer Deposition (ALD) zur Produktion von Pert-Zellen verwendet werden. (Michael Fuhs)

Siehe auchLeitfaden Qualität

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