Singulus Technologies hat einen Großauftrag für die Lieferung einer Produktionsanlage für CIGS-Dünnschichtmodulen erhalten. Es handele sich um eine Tenuis II Produktionsanlage für das nasschemische Aufbringen von Buffer Layer Schichten, teilte das deutsche Unternehmen mit. Der Vertrag sei mit Apollo Precision (Fujian), einer 100-prozentigen Tochtergesellschaft der Hanergy Solar Group, geschlossen worden. Das Ordervolumen liege bei mehr als 15 Millionen Euro. Es handele sich um die zweite Generation der Fertigungsanlagen zur Buffer Layer Beschichtung von Singulus. Diese sei modular in einer Clusterbauweise aufgebaut und biete erhebliche Einsparungsmöglichkeit bei der benötigten Fläche. Zudem sei zeitgleich eine Beschichtung von zwei Substraten möglich, teilte Singulus weiter mit. Damit reduziere sich die Prozesszeit und ermögliche einen höheren Durchsatz der Produktionsanlage.
Hanergy ist derzeit einer der größten Hersteller von CIGS-Dünnschichtmodulen. Das chinesische Unternehmen hatte in den vergangenen Monaten und Jahren zahlreiche Konkurrenten übernommen, darunter die Q-Cells-Tochter Solibro oder den US-Hersteller Miasole. Im Oktober 2013 habe Hanergy einen Wirkungsgrad von 18,7 Prozent im CIGS-Fertigungsprozess von Solibro erreicht. Bereits im Mai diesen Jahres sei dann bei einer ein Quadratzentimeter großen CIGS-Dünnschicht-Solarzelle der Solibro-Technologie ein Wirkungsgrad von 21 Prozent erreicht worden. Die Ergebnisse seien damals auch von Fraunhofer-ISE geprüft und bestätigt worden. Singulus arbeitet nach eigenen Angaben seit Jahren eng mit Solibro zusammen, um effizientere CIGS-Herstellungsprozesse zu entwickeln, darunter bei der Buffer Layer Beschichtung.
Der chinesische Photovoltaik-Hersteller kündigte zu Jahresbeginn an, eine CIGS-Dünnschichtmodul-Fertigung mit einer Kapazität von 600 Megawatt in Caofeidian aufbauen zu wollen. Die Singulus-Produktionsanlage sei für dieses Werk in China gedacht. Er ist voraussichtlich erst die erste Ausbaustufe. Hanergy strebt den Ausbau der Fertigung auf eine Jahreskapazität von drei Gigawatt an. (Sandra Enkhardt)
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