Pressemitteilung

SolarEdge baut Zusammenarbeit mit Infineon aus, um Halbleiter-Schutz für 800-VDC-KI-Rechenzentren zu ermöglichen

• Die Unternehmen weiten ihre Zusammenarbeit auf die Solid-State-Circuit-Breaker-Technologie (SSCB) aus und orientieren sich dabei an einem führenden Branchenkonzept für 800-V-Gleichstromarchitekturen. • Die SSCB-Technologie ist darauf ausgelegt, Fehler in Gleichstromsystemen um ein Vielfaches schneller zu unterbrechen als elektromechanische Leistungsschalter und adressiert damit eine zentrale Herausforderung bei 800-V-Gleichstromarchitekturen. • Die Zusammenarbeit treibt die Entwicklung einer DC-nativen Stromversorgungsarchitektur voran – vom Mittelspannungsnetzanschluss über die Verteilung bis hin zum Rack –, um höhere Leistungsdichten, größere Zuverlässigkeit und eine geringere Umweltbelastung von KI-Rechenzentren zu ermöglichen.
Solaredge

Milpitas, Kalifornien, und München, Deutschland – 16. September 2026 – SolarEdge, ein weltweit führender Anbieter für Smart Energy, und Infineon Technologies, ein weltweit führender Halbleiterhersteller in den Bereichen Energiesysteme und IoT, gaben heute eine Ausweitung ihrer Zusammenarbeit bekannt. Ziel ist es, die Solid-State-Circuit-Breaker-Technologie (SSCB) für die Gleichstromverteilung mit hoher Spannung in KI- und Hyperscale-Rechenzentren weiterzuentwickeln. Die Zusammenarbeit adressiert eine zentrale Herausforderung bei der Einführung von 800-VDC-Architekturen: Der sichere Betrieb einer Infrastruktur mit immer höherer Leistungsdichte erfordert eine extrem schnelle Fehlerisolierung, um Selektivität bei gleichzeitig hoher Effizienz sicherzustellen.

Mit der Ausweitung der Zusammenarbeit auf Solid-State-Schutztechnologien schließen die Unternehmen eine entscheidende Lücke in der Verteilungsebene zwischen dem Solid-State-Transformator (SST) und dem Compute-Rack und treiben damit eine umfassende Grid-to-Rack-Lösung voran. SolarEdge übernimmt die federführende Entwicklung seiner SSCB-Lösung, während Infineon seine Siliziumkarbid-(SiC)-JFET-Technologie als zentrale Technologie für die Schutzbauelemente bereitstellt.

Da die rasant steigende Rechendichte im Bereich der künstlichen Intelligenz (KI) die Branche zu einer Gleichstromverteilung mit höheren Spannungen treibt, bewältigen SSCBs eine der grundlegendsten Herausforderungen für einen sicheren und zuverlässigen Betrieb. Im Gegensatz zu herkömmlichen Wechselstromsystemen (AC) stellt der Gleichstromschutz eine andere technische Herausforderung dar. Ohne einen natürlichen Stromnullpunkt ist die mechanische Unterbrechung mit Lichtbogenbildung verbunden. Sie ist vergleichsweise langsam und erfordert daher einen anderen Ansatz beim Schalterschutz als herkömmliche Wechselstromsysteme. SSCBs sind darauf ausgelegt, Fehler innerhalb weniger Mikrosekunden zu unterbrechen, ohne dass mechanische Kontakte getrennt werden müssen, während die CoolSiC™-JFET-Bauelemente von Infineon einen effizienten Betrieb und überragende Robustheit gewährleisten. Zusammen tragen diese Fähigkeiten zum Schutz hochwertiger Rechenanlagen bei und ermöglichen kompaktere Gleichstromverteilungsdesigns mit höherer Dichte.

Die Zusammenarbeit baut direkt auf der SST-Plattform von SolarEdge mit SiC-Komponenten von Infineon auf, die erstmals im November 2025 angekündigt wurde. Die SST-Plattform ist darauf ausgelegt, eine direkte Umwandlung von Mittelspannung (13,8–34,5 kV) in 800–1.500 VDC mit einem Wirkungsgrad von über 99 % zu ermöglichen, wobei mehrere Umwandlungsstufen in einer einzigen Lösung zusammengefasst und gleichzeitig der Platzbedarf reduziert werden.

„Eine hochdichte KI-Infrastruktur bei 800 VDC erfordert kompromisslose Effizienz und Schutz“, sagte Shuki Nir, Chief Executive Officer von SolarEdge. „Der Halbleiterschutz ermöglicht es Betreibern, beides zu erreichen, und bietet eine ultraschnelle und zuverlässige Fehlerisolierung, ohne die Umwandlungsleistung zu beeinträchtigen. Die Siliziumkarbid-Technologie von Infineon macht dies in großem Maßstab praktikabel.“

„Heutige Dateninfrastrukturen sind anfälliger für elektrische Störungen geworden, was die Nachfrage nach intelligenteren, schnelleren und robusteren Stromverteilungssystemen steigert“, sagte Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer des Geschäftsbereichs Industrial & Infrastructure bei Infineon. „Durch die Kombination unserer fortschrittlichen Siliziumkarbid-JFET-Technologie mit dem Know-how von SolarEdge im Bereich der Endstromverteilung werden wir diesen Anforderungen gerecht, um einen schnellen, sicheren und zuverlässigen Betrieb in KI-Rechenzentren zu gewährleisten.“

Aufbauend auf mehr als 20 Jahren Erfahrung und Technologieführerschaft in der DC-gekoppelten Leistungselektronik entwickelt SolarEdge derzeit einen 800-VDC-Powertrain für KI-Fabriken – eine durchgängig auf Gleichstrom ausgelegte Kette, die Energie vom Mittelspannungsnetzanschluss über Umwandlung, Verteilung und Schutz bis zum Compute-Rack führt. Das breite Portfolio von Infineon an Lösungen auf Basis von Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid bildet hierfür die technologische Grundlage und unterstützt die Dekarbonisierung von KI-Infrastrukturen durch geringere Verluste, eine reduzierte Umweltbelastung und niedrigere Gesamtbetriebskosten.