Kantenisolation durch Ätzung auf der Rückseite
Merck bringt die Ätzpaste Solaretch SiD aus dem Isishape-Produkt-Portfolio auf den Markt. Die Paste ätze im Randbereich auf der Rückseite eines Phosphor-Silikat-Glaswafers einen circa drei bis vier Mikrometer tiefen Graben für die Isolation zur Vorderseite. Die Paste wird mit einem kontaktlosen Dispensverfahren auf die Rückseite des Wafers aufgebracht. Im Vergleich zu Isolationen auf der Vorderseite […]
