Die Vorträge der Award Gewinner werden im Rahmen der „PCIM Europe digital days“ vom 07. – 08. Juli 2020 online präsentiert. Auch auf den direkten Austausch muss bei dem virtuellen Format nicht verzichtet werden: Konferenzteilnehmer können die Gewinner sowie über 250 weitere Referenten aus Industrie und Wissenschaft in virtuellen Fragerunden treffen und mit den Experten in einen intensiven Austausch treten.
Auf der digitalen Event Plattform der PCIM Europe stehen weitere zahlreiche Interaktionsmöglichkeiten mit der Community zur Verfügung. Dazu gehört ein neues Networking-Erlebnis durch digitales Matchmaking auf Basis der Teilnehmerinteressen. Ein interessenbezogenes Business Speed-Dating fördert zusätzlich das zufällige Zusammentreffen von Personen. Das Angebot der Online-Konferenz wird durch ein virtuelles Early Bird Café und ein abschließendes Get-Together mit musikalischer Begleitung abgerundet.
Die kostenfreie Registrierung sowie das ausführliche Programm zu diesem zweitägigen Event mit über 270 wissenschaftlichen Beiträgen, Keynotes und Special Sessions rund um aktuelle Forschungsergebnisse und Innovationen im Bereich der Leistungselektronik, darunter Wide-Bandgap-Technologien sowie Aspekte der zukünftigen Systementwicklung für Energiespeicher, sind unter pcim.de zu finden.
Der Gewinner des PCIM Europe Best Paper Awards ist:
So Tanaka, AIST, Japan
SiC Module Operational at 200 °C with High Power-Cycling Capability Using Fatigue-Free Chip Surface Packaging Technologies
Die Gewinner der drei PCIM Europe Young Engineer Awards sind:
Patrick Hofstetter, Universität Bayreuth, Deutschland
Parasitic Turn-On of SiC MOSFETs – Turning a Bug into a Feature
Kirill Klein, Fraunhofer Institute IZM, Deutschland
Low Inductive Full Ceramic SiC Power Module for High-Temperature Automotive Applications
Francesco Porpora, University of Cassino and Southern Lazio, Italien
Performance Analysis of Active and Passive Equalizer Circuits for Lithium-Ion Cells
Jeder Award ist mit einem Preisgeld von 1.000 Euro dotiert. Der PCIM Europe Tagungsband mit den ausführlichen Manuskripten und zahlreichen zusätzlichen Konferenzbeiträgen renommierter Unternehmen, welche ursprünglich für die PCIM Europe 2020 geplant waren, kann online erworben werden.
Kurzfassung des PCIM Europe 2020 Best Papers (Konferenzsprache Englisch):
SiC Module Operational at 200 °C with High Power-Cycling Capability Using Fatigue-Free Chip Surface Packaging Technologies
So Tanaka, Hiroshi Notsu, Hisato Michikoshi, Jiro Shinkai, Hiroshi Sato, Kunihiro Sakamoto, AIST, J; Yasuki Mikamura, Sumitomo Electric Industries, J
This study demonstrates a successful SiC module operation after conducting a power-cycle test of over 320,000 cycles at junction temperature (Tjmax) of 200 °C. This lifetime is one order of magnitude longer than a development target for automotive application. This study focused on three chip top structures: a “thermal expansion coefficient (CTE) matching layer” made of an Fe-Ni “Invar” alloy with a CTE value close to that of SiC, a sintered copper joint and a copper wire for high temperature and high current durability improvement.
Kurzfassungen der PCIM Europe 2020 Young Engineer Award Papers (Konferenzsprache Englisch):
Parasitic Turn-On of SiC MOSFETs – Turning a Bug into a Feature
Patrick Hofstetter, Robert W. Maier, Mark-M. Bakran, University of Bayreuth, D
This paper shows, that the unwanted parasitic turn-on (PTO) in SiC MOSFETs does not always need to be of a disadvantage. It is shown that a small PTO can even be used to lower the maximum overvoltage at the body diode during the diode turn-off. In applications where this is the limiting condition for the switching speed, this means that the SiC MOSFET turn-on can be accelerated leading to immensely lower losses.
Low Inductive Full Ceramic SiC Power Module for High-Temperature Automotive Applications
Kirill Klein, Olaf Rämer, Eckart Hoene, Fraunhofer Institute IZM, D; Yusuke Yasuda, Hitachi Metals Europe, D; Hiroyuki Ito, Fumi Kurita, Masato Enoki, Hideyuki Nakamura, Kenji Okishiro, Hitachi Metals, J
This paper presents a new power module technology suitable for automotive high power and high temperature applications. SiC MOSFETs are sintered into to the LTCC substrate cavity from top side and soldered to SiN-AMB from bottom side. Primary DC link RC-snubber, driver booster and high current contacts are soldered on ceramic stack. Base plate free water cooling concept using ultra-short thermal path with 3D printed heat sink allows to fullfil thermal requirements for 150kW power.
Performance Analysis of Active and Passive Equalizer Circuits for Lithium-Ion Cells
Francesco Porpora, Umberto Abronzini, Mauro Di Monaco, Vito Nardi, Giuseppe Tomasso, University of Cassino and Southern Lazio, I; Ciro Attaianese, University of Naples Federico II, I; Matilde D’Arpino, The Ohio State University, USA
This paper proposes the performance analysis of two different architectures for passive and active Battery Management System (BMS). The comparison has been performed in terms of equalization speed, power losses, complexity of both hardware and software implementation, size and cost. Numerical and experimental analyses have been performed to validate the performance of each equalizer circuit in charging, discharging and idle state.
Weitere Informationen zu den „PCIM Europe digital days“ sind unter pcim.de abrufbar.
Mit dem Absenden dieses Formulars stimmen Sie zu, dass das pv magazine Ihre Daten für die Veröffentlichung Ihres Kommentars verwendet.
Ihre persönlichen Daten werden nur zum Zwecke der Spam-Filterung an Dritte weitergegeben oder wenn dies für die technische Wartung der Website notwendig ist. Eine darüber hinausgehende Weitergabe an Dritte findet nicht statt, es sei denn, dies ist aufgrund anwendbarer Datenschutzbestimmungen gerechtfertigt oder ist die pv magazine gesetzlich dazu verpflichtet.
Sie können diese Einwilligung jederzeit mit Wirkung für die Zukunft widerrufen. In diesem Fall werden Ihre personenbezogenen Daten unverzüglich gelöscht. Andernfalls werden Ihre Daten gelöscht, wenn das pv magazine Ihre Anfrage bearbeitet oder der Zweck der Datenspeicherung erfüllt ist.
Weitere Informationen zum Datenschutz finden Sie in unserer Datenschutzerklärung.